在使用二极管时,我们经常谈论二极管的反向击穿。本文总结了二极管击穿的概念和名词。二极管的反向击穿是什么?晶体二极管是p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面的两侧形成空间电荷层,建立了自己的电场。在没有外加电压的情况下,由于p-n结两侧的载流子浓度差引起的扩散电流和建设电场引起的漂移电流相等,处于电平衡状态。当外有正向电压偏移时,外部电场和自营电场的相互抑制作用增加了载流子的扩散电流,引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场将进一步加强,形成在一定的反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当添加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值,产生载流子的倍增过程,产生大量的电子空洞,产生数值大的反向破坏电流,称为二极管破坏现象。