高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ），也称为异质结构场效应晶体管 (ＨＦＥＴ) ，是一种利用电子在不同材料界面间高速运动特性而制成的晶体管。以其超高频率、超高速的性能无线通讯、卫星通讯、雷达系统等领域，有着着非常的重要的作用。
ＨＥＭＴ 的核心优势在于其极高的电子迁移率。电子迁移率是指载流子在电场作用下运动速度的快慢，ＨＥＭＴ 利用了两种不同带隙材料的异质结结构，将电子束缚在界面构成二维电子气 (2ＤＥＧ)。这类二维电子气阔别搀杂区，减少了杂质散射，这样看来电子可以以极高的速度运动，从而实现更高的工作频率和更快的开关速度。
ＨＥＭＴ 的运用领域非常。其优良的高频特性，ＨＥＭＴ 被用于毫米波和亚毫米波领域，比如可以 5Ｇ 通讯、卫星通讯、雷达系统等。ＨＥＭＴ 还被用于制造高速数字电路、低噪声放大器、高功率射频器件等。
未来，材料科学和半导体工艺的不断发展，ＨＥＭＴ 的性能将会进一步提升，运用领域也将不断拓展。比如可以，氮化镓（ＧaＮ）基 ＨＥＭＴ 其更高的击穿电压和工作温度，正愈来愈多地用于高频和高功率器件等电力电子领域。可以预感，ＨＥＭＴ 将在未来高速电子领域继续，有着重要作用，推动相干技术的发展。
