电力晶体管作为电力电子技术中非常的重要的器件能源转换、机电驱动、电源管理等领域，有着着不可替换的作用。近些年来，新能源汽车、可再生能源、工业自动化等行业的快速发展，全球电力晶体管市场范围延续增长，技术创新不断加快，产业格局也在不断演化。
电力晶体管主要分为三大类：ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物半导体场效应晶体管）、ＩＧＢＴ（绝缘栅双极型晶体管）和ＢＩＰＯＬＡＲ（双极结型晶体管）。其，ＩＧＢＴ 是一种合适高电压、大电流运用的理想晶体管，用于工业领域；ＭＯＳＦＥＴ 能够开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小等优势消费电子领域运用；ＢＩＰＯＬＡＲ 则能够电流容量大、耐压高等特点，适用于高压直流输电等领域。
近些年来，宽禁带半导体材料技术的突破，以碳化硅（ＳiＣ）和氮化镓（ＧaＮ）为代表的第三代半导体电力晶体管迅速突起。与以前的硅基电力晶体管相比，ＳiＣ 和 ＧaＮ 电力晶体管能够更高的击穿电压、更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的工作温度等优势，满足未来电力电子技术对更高效力、更高频率、更高功率密度的需求。据预测，到 2024 年 ＧaＮ 电力电子器件市场预计将到达与 Ｓi ＭＯＳＦＥＴ 和 ＩＧＢＴ 持平的价格。
目前，全球电力晶体管市场主要被英飞凌、三菱机电、富士机电、东芝、安森美等国际巨头所占据。近些年来，中国企业在政策支持和市场需求的两重驱动下，也积极布局电力晶体管产业，出现出一批能够较强竞争力的企业，如华虹半导体、士兰微电子、扬杰科技等。
未来，全球能源结构的转型升级和电子技术的不断进步，电力晶体管产业将继续保持快速发展的态势。宽禁带半导体材料的运用、新型器件结构的开发、智能化制造技术的提升将成为推动产业发展的重要驱动力。
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