场效应晶体管（Ｆield Ｅffect Ｔransistor，简称ＦＥＴ）是一种电压控制型半导体器件，利用电场效应来控制电流的导通和截止。与双极型晶体管不同，场效应晶体管是单极性器件，也就是说，工作电流只由一种载流子（电子或空穴）承当。
场效应晶体管主要分为两大类：结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）。的结构类似于一个结二极管ＪＦＥＴＰＮ，利用栅极电压来控制耗尽层的宽度，从而改变导电沟道的电阻，到达控制电流的目的。则是在栅极和沟道之间增加了一层绝缘层ＭＯＳＦＥＴ（是二氧化硅），通过在栅极上施加电压绝缘层中感应出电荷，构成导电沟道，从而控制电流的流通。
场效应晶体管能够许多优点，比如可以输入阻抗高、功耗低、噪声低、热稳定性好等，这样看来被用于各种电子电路，比如可以放大电路、开关电路、数字电路等。特别是ＭＯＳＦＥＴ，其集成度高、功耗低、开关速度快等优点，已成为现代集成电路中最经常使用的器件。
场效应晶体管的运用领域非常，从消费电子产品到工业控制系统，都能看到身影。比如可以，智能手机、平板电脑、笔记本电脑等装备中都大量使用了作为电源管理芯片ＭＯＳＦＥＴ、处理器芯片、存储器芯片等核心部件工业控制领域，场效应晶体管也被用于机电驱动、电源转换、信号处理等方面。
半导体技术的不断发展，场效应晶体管的性能也在不断提高。比如可以，新型的铁电负电容场效应晶体管可以突破以前的亚阈值摆幅限制ＭＯＳＦＥＴ，实现更低的功耗和更高的性能，这为未来电子器件的发展提供了新的性。
电话：0755-28100016
邮箱：sales.cn@uxingroup.com
地址：中国广东省深圳市龙华新区清祥路宝能科技园9栋B座7楼
