场效应晶体管（Ｆield-Ｅffect Ｔransistor，简称ＦＥＴ）是一种电压控制型半导体器件，也是构成现代电子装备的核心元件。以其微小的体积、低功耗和高效力各个领域都扮演着很重要，不可缺少的角色，被誉为电子世界的小伟人。
与以前的双极型晶体管不同，场效应晶体管的工作原理是利用电场控制电流的活动。主要由源极（Ｓource）、漏极（Ｄrain）和栅极（Ｇate）三个电极组成，电流从源极流入，经过一个称为「沟道」的区域，终究从漏极流出。而栅极则像一道闸门，通过施加电压来控制沟道的导电能力，从而实现对电流的控制。
场效应晶体管的优势在于其极高的输入阻抗，这意味着几近不消耗控制信号的电流，这样看来能够很高的能量效力。场效应晶体管还能够噪声低、开关速度快、集成度高等优点，这使得成为各种电子电路的首选元件。
场效应晶体管的运用领域非常，从我们平常使用的手机、电脑、电视，到工业控制、航空航天等高科技领域，都能看到身影。比如可以手机，场效应晶体管被用于处理器、存储器、显示屏等关键部件；在工业控制领域，场效应晶体管则被用于机电驱动、电源管理等方面。
近些年来，纳米技术的不断发展，场效应晶体管的尺寸也在不断缩小，性能也在不断提升。比如可以，鳍式场效晶体管（ＦinＦＥＴ）的出现，就可以地解决了以前平面型晶体管所面临的漏电流问题，进一步提升了晶体管的性能。可以预感未来，场效应晶体管将会继续朝着更小尺寸、更高性能、更低功耗的方向发展，为电子技术的进步贡献更大的气力。
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