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双极型晶体管发展报告

时间：2024-10-09 阅读量：24

双极型晶体管（ＢＪＴ）是一种能够电放逐大作用的半导体器件，发展历程充满了创新和突破，深入地改变了电子工业的面貌。

的起源可以追溯到ＢＪＴ1947年，当时贝尔实验室的威廉·肖克利、沃尔特·布拉顿和约翰·巴丁发明了第一个点接触晶体管。这一突破性发明为电子器件的小型化和集成化奠定了基础，也为三位科学家赢得了1956年的诺贝尔物理学奖。

双极型晶体管发展报告

20世纪50年代早期，点接触晶体管发展成为结型晶体管，也就是我们现在所说的双极型晶体管。1951年，合金法被用于制造合金结晶体管。随后，杂质散布技术在1955年得到发展，并于1956年成功用于制造散布型晶体管。

双极型晶体管的结构主要有型和型两种ＰＮＰＮＰＮ。都由三个搀杂不同的半导体区域组成，分别称为发射极、基极和集电极。双极型晶体管的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流，从而实现电放逐大。

与真空管相比，双极型晶体管能够体积小、重量轻、功耗低、寿命长、可靠性高等优点。这样看来，双极型晶体管迅速取代了真空管，成为电子电路的核心元件，用于放大电路、开关电路、振荡电路等各种电子装备中。

如今，集成电路技术的不断发展，双极型晶体管已发展成为各种高性能、低功耗、多功能的集成电路芯片，为现代电子参数技术的飞速发展提供了强大的动力。

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