功率晶体管作为电子系统中的关键元件电流和电压控制方面，有着着非常的重要的作用。近些年来，新能源汽车、5Ｇ 通讯、工业自动化等领域的快速发展，市场对功率晶体管的需求日趋增长，也推动着功率晶体管技术的不断革新。
功率半导体运用前景广阔，几近涵盖了所有电子产业链 ，而晶体管作为功率半导体的重要组成部份，未来发展潜力巨大。从市场范围来看，预计未来几年全球功率晶体管市场将保持延续增长态势。推动这一增长的主要因素包含了：
新能源汽车的蓬勃发展: 新能源汽车中大量使用电力电子器件，对功率晶体管的需求量巨大，比如可以电动汽车的逆变器、充电桩等都使用高性能的功率晶体管。
可再生能源的推行运用: 太阳能、风能等可再生能源发电系统中使用功率晶体管进行电能转换和控制。
工业自动化程度的提高: 工业机器人、伺服系统等自动化装备都使用大量的功率晶体管。
从技术发展趋势来看，未来功率晶体管将朝着更高频率、更高功率密度、更高效力、更高可靠性等方向发展。宽禁带半导体材料，如碳化硅（ＳiＣ）和氮化镓（ＧaＮ），优越的性能表现，正逐步取代以前的硅基材料，成为功率晶体管领域的研究热门。
碳化硅（ＳiＣ）功率晶体管： 材料能够更高的击穿电压ＳiＣ、更高的工作温度和更低的导通消耗，适用于制造高压、高温、高频的功率器件。特别是在碳化硅ＩＧＢＴ（绝缘栅双极晶体管）这一领域，运用前景更是使人期待 。
氮化镓（ＧaＮ）功率晶体管: 材料能够更高的电子迁移率ＧaＮ，可以实现更高的开关速度和更低的开关消耗，适用于制造高频、高效的功率器件。氮化镓高电子迁移率晶体管（ＧaＮ ＨＥＭＴ）则以其高频化和小体积的优势，逐步替换1之内的功率硅基ＫＶＭＯＳＦＥＴ，推动电源向更高频、更高功率密度的方向发展 。
总而言之，功率晶体管作为电力电子技术的重要基础元件，市场前景广阔，未来发展潜力巨大。新材料、新技术的不断出现，功率晶体管的性能将不断提升，运用领域也将不断拓展，将在推动节能减排、发展低碳经济方面，有着愈来愈重要的作用。
