沟道管ＰＭＯＳ（Ｍetal-Ｏxide-Ｓemiconductor Ｆield-Ｅffect Ｔransistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件电子电路中扮演着非常的重要的角色。与「兄弟」沟道管不同ＮＭＯＳ，沟道管的导电沟道由ＰＭＯＳ空穴构成，工作原理也略有差异。
沟道管的基本结构包含了衬底ＰＭＯＳ、源极、漏极和栅极。衬底是型半导体材料Ｎ，源极和漏极则是搀杂了高浓度型杂质的区域Ｐ。栅极则由金属材料制成，与衬底之间通过一层薄薄的二氧化硅绝缘层隔开。当在栅极施加负电压时，衬底中的空穴会被吸引到栅极下方的区域，构成导电沟道，使电流在源极和漏极之间活动。反之，当栅极电压为零或正电压时，导电沟道消失，源极和漏极之间处于截止状态，电流没法活动。
相比于沟道管ＮＭＯＳ，沟道管能够以下优势ＰＭＯＳ：我们从可以看出来，，沟道管的开启电压较低ＰＭＯＳ，只较小的栅极电压就可以使其导通，这在低功耗电路中尤其重要。还有沟Ｐ道管的导通电阻较低ＭＯＳ，承载更大的电流，适用于大功率电路运用。沟道管还能够更好的抗静电能力ＰＭＯＳ，可以避免静电放电对器件酿成的破坏。
沟道管用于各种电子装备中ＰＭＯＳ，比如可以开关电源、放大电路、逻辑电路等。比如可以开关电源，沟道管可以作为开关元件ＰＭＯＳ，控制电流的通断，实现电压转换和稳压功能放大电路，沟道管可以将微弱的信号放大ＰＭＯＳ，提高电路的灵敏度逻辑电路，沟道管可以构成各种逻辑门电路ＰＭＯＳ，实现逻辑运算和信号处理功能。
总而言之，沟道管作为一种重要的半导体器件ＰＭＯＳ，凭仗其独特的性能优势电子电路，有着着不可替换的作用。半导体技术的不断发展，沟道管的性能将进一步提升ＰＭＯＳ，运用领域也将更加。
电话：0755-28100016
邮箱：sales.cn@uxingroup.com
地址：中国广东省深圳市龙华新区清祥路宝能科技园9栋B座7楼
