ＭＯＳ管，也叫做金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Ｍetal-Ｏxide-Ｓemiconductor Ｆield-Ｅffect Ｔransistor），是一种可以被电压控制的半导体器件，用于各种电子装备中。主要由栅极（Ｇate）、源极（Ｓource）和漏极（Ｄrain）三个端子和一个衬底（Ｂulk）构成。 那末，管具体有几种类型呢ＭＯＳ？
我们从可以看出来，，根据导电沟道的类型，管可以分为沟道管ＭＯＳＮＭＯＳ（ＮＭＯＳ）和沟道管ＰＭＯＳ（ＰＭＯＳ）。沟道管的导电沟道由电子构成ＮＭＯＳ，而沟道管的导电沟ＰＭＯＳ道由空穴构成。简单来讲，可以将沟道管理解为电子活动的通道ＮＭＯＳ，而将沟道管理解为空穴活动的通道ＰＭＯＳ。
还有根据工作模式的不同，管又可以分为增强型管和耗尽型管ＭＯＳＭＯＳＭＯＳ。增强型管在栅极电压为零时ＭＯＳ，漏极和源极之间没有导电沟道，只有当栅极电压超过一定阈值时，才会构成导电沟道，晶体管才能导通。而耗尽型管在栅极电压为零时ＭＯＳ，漏极和源极之间已有导电沟道存在，施加负的栅极电压可以耗尽沟道中的载流子，从而控制电流的流通。
来讲，管主要有四种类型ＭＯＳ：沟道增强型管ＮＭＯＳ、沟道耗尽型管ＮＭＯＳ、沟道增强型管和沟道耗尽型ＰＭＯＳＰ管ＭＯＳ。 在实际运用，工程师会根据电路的具体需求选择适合的管类型ＭＯＳ。比如可以，沟道增强型管常被用作开关器件ＮＭＯＳ，而沟道增强型管则常被用作放大器件ＰＭＯＳ。
