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mos管工作原理图

时间：2024-10-09 阅读量：23

ＭＯＳ管，也称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种用于摹拟电路和数字电路中的电子开关器件。其工作原理基于电场效应，通过电压控制电流的流通。为了更好地理解管的工作原理ＭＯＳ，我们可以借助管工作原理图来进行分析ＭＯＳ。

以沟道增强型管为例ＮＭＯＳ，结构如图所示。由一块低搀杂的型硅衬底Ｐ、两个高搀杂的型区Ｎ（源极和漏极ＳＤ）和覆盖在衬底上的绝缘层（是二氧化硅）和金属栅极组成Ｇ。源极和漏极之间是导电沟道，但型衬底的存在Ｐ，沟道中缺少可自由移动的电子，这样看来初始状态下管处于截止状态ＭＯＳ，电流没法从源极流向漏极。

mos管工作原理图

当在栅极上施加正电压时Ｇ，栅极和衬底之间构成电场。该电场会排挤型衬底中的空穴Ｐ，并将电子吸引到栅极下方的绝缘层附近。当栅极电压超过一定阈值电压时，吸引的电子数量足够多，会在源极和漏极之间构成导电沟道，管由截止状态转变成导ＭＯＳ通状态，电流可以从源极流向漏极。

管的导通电流大小与栅源电压有关ＭＯＳＶgs。当大于阈值电压时ＶgsＶth，导通电流的增加而增大ＩdsＶgs。越大Ｖgs，沟道中的电子浓度越高，导通能力越强，也越大Ｉds。反之，当小于时ＶgsＶth，管处于截止状态ＭＯＳ，几近为零Ｉds。

通过控制栅源电压Ｖgs，就能够控制管的导通和截止ＭＯＳ，从而实现对电流的开关控制。管能够输入ＭＯＳ阻抗高、功耗低、开关速度快等优点，用于放大电路、开关电源、数字逻辑电路等领域。

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