ＩＧＢＴ（绝缘栅双极型晶体管）是一种功率半导体器件，用了的快速开关特性和双极型晶体管的低导通消耗ＭＯＳＦＥＴ，用于变频器、电源ＵＰＳ、逆变焊机、感应加热等领域。产品主要分为单管和模块两种情势ＩＧＢＴＩＧＢＴＩＧＢＴ。
单管ＩＧＢＴ，顾名思义，是指单个封装的器件ＩＧＢＴ，采取ＴＯ⑵47、ＴＯ⑵20等封装情势。单管能够电流容量相对较小ＩＧＢＴ、散热能力有限等特点，适用于电流较小、功率较低的运用处景。市面上常见的单管电压等级涵盖ＩＧＢＴ600Ｖ、1200Ｖ、1700等Ｖ，电流规格从几安培到数百安培不等，可以满足不同运用需求。
模块是由多个单管芯片并联封装而成的功率模块ＩＧＢＴＩＧＢＴ，能够电流容量大、开关速度快、可靠性高等优点，适用于大电流、高功率的运用处景，比如可以新能源汽车机电驱动、光伏逆变器、高铁牵引等。模块根据内部结构和功能可分为多种类型ＩＧＢＴ，比如可以半桥模块、全桥模块、斩波模块等，并可根据散热方式选择不同封装情势，比如可以螺丝型、压接型、平板型等。 模块的ＩＧＢＴ电压等级在600到Ｖ6500之间Ｖ，电流规格可以到达数百安培乃至上千安培。
单管和模块的选择ＩＧＢＴＩＧＢＴ根据具体的运用处景和技术要求进行斟酌。对电流较小、功率较低的运用，可以选择本钱相对较低的单管ＩＧＢＴ；而对电流较大、功率较高的运用，则选择性能更优的模块ＩＧＢＴ。
电力电子技术的不断发展，技术也在不断进步ＩＧＢＴ，比如可以碳化硅（ＳiＣ）等新型材料的运用，进一步提升了的性能ＩＧＢＴ。未来，单管及模块将会在更高效力ＩＧＢＴ、更高频率、更大功率等方面不断发展，为推动电力电子技术进步和产业升级做出更大的贡献。
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