• 导通损耗低• 开关损耗低• 快速开启和关闭• 减少并联• 性能稳健可靠• 环保
• RDS(on)降低约 20%• FOMg 改善了 30%,FOMgd 改善了40%• 较低和较柔和的反向恢复电荷 (Qrr)• 175 °C 结温等级• 高雪崩能量等级• 无铅镀层,符合RoHS标准
英飞凌最新的 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 系列可实现最高水平的系统效率。OptiMOS™ 6 采用最先进的沟槽工艺,在开关/导通损耗和电流能力方面有显著改进。这些改进可降低系统损耗,从而提高功率密度、电路板温度和整体系统可靠性。目标应用包括开关模式电源(SMPS) 、可再生能源、Oring 电路、电机驱动、LEV 和电池供电应用。
该系列包含多款产品,包含全新推出的200V,以及120V, 100V,与40V家族。