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MMBT5551LT1G安森美（ON Semiconductor）介绍

时间：2025-01-09 阅读量：10

MMBT5551LT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN硅高压晶体管，以下是关于该产品的详细介绍：

一、基本参数

晶体管类型：NPN双极晶体管。
最大发射极-基极电压（VEBO）：6V。
最大直流集电极电流（Ic）：600mA（某些资料中可能标注为0.6A，两者等价）。
最大集电极-发射极电压（VCEO）：160V。
最大集电极-基极电压（VCBO）：根据不同资料，可能为140V或180V，但通常以160V为基准值考虑安全裕量。
最大功率耗散（Pd）：225mW（某些资料中可能提到300mW的最大功率耗散值，这可能与具体封装或测试条件有关）。
最大集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：通常在0.15V至0.2V之间。
直流电流增益（hFE）：最大值可达250，最小值通常为80。

二、封装与尺寸

封装类型：SOT-23，这是一种小型表面贴装封装。
引脚数目：3个引脚。
尺寸：长度2.9mm，宽度1.3mm，高度0.94mm。

三、工作温度范围

最低工作温度：-55°C。
最高工作温度：+150°C。

四、应用特性

高电压承受能力：适用于需要较高电压承受能力的电路。
通用性：可作为通用NPN晶体管使用，在多种电路中发挥作用。
表面贴装：适用于自动化组装生产线，提高生产效率。

五、其他信息

符合标准：该产品符合PPAP和AEC-Q101等汽车电子相关标准，适用于车用和工业应用。
制造商部件号：带S或NSV前缀的制造商部件号具有汽车资格。

六、注意事项

在使用MMBT5551LT1G时，应确保电路中的电压和电流不超过其最大额定值，以避免损坏晶体管。
由于不同批次或封装的产品可能存在细微差异，因此在实际应用中应参考具体批次的数据手册。

综上所述，MMBT5551LT1G是一款性能稳定、应用广泛的NPN硅高压晶体管，适用于多种电子电路和自动化系统。在选择和使用时，请务必参考制造商提供的数据手册和相关资料以确保正确应用。

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