碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，以其优越的物理性能，如高热导率、高击穿电场强度、高电子迁移率和化学稳定性，在高温、高功率、高频率的电力电子器件领域展现出巨大潜力。SiC功率器件主要包括肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。
SiC SBD是一种利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结的器件，具有正向电压低、开关速度快的特点。相比于传统的硅（Si）二极管，SiC SBD具有更低的正向电压和更快的反向恢复时间，尤其在高温条件下表现出更好的性能稳定性。
SiC SBD能在高温环境下维持较低的正向电压和较低的漏电流，这对于新能源汽车、光伏逆变器等应用至关重要。在高温条件下，SiC SBD的导通损耗较低，有助于提高系统的整体效率。
SiC SBD的制备涉及到高质量SiC晶体的生长、切割、磨削和抛光等一系列复杂的工艺流程。晶体生长技术的发展，特别是液相法和物理气相传输法（PVT）的进步，大大提高了SiC晶体的质量和尺寸，进而提升了器件的性能。
SiC SBD在新能源汽车、光伏发电、智能电网、航空航天等领域有着广泛的应用前景。随着技术的不断发展和成本的逐渐降低，SiC SBD的市场需求预计将会迅速增长，特别是在新能源汽车充电桩领域，SiC SBD的渗透率有望快速提升。
为了进一步提升SiC SBD的效率，研究人员和企业不断探索新的材料、结构和制造工艺。例如，通过采用新型的电极材料、改进的外延生长技术以及优化的器件结构，不断提升SiC SBD的性能和可靠性。
SiC SBD作为一种高性能的功率器件，在高温、高功率场合展现出了无可比拟的优势。随着技术的不断进步和成本的进一步降低，SiC SBD将在未来的电力电子领域扮演越来越重要的角色。
| 产品型号 | 参数描述 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SiC SBD CSD06H65 | 66 | 6 | 650 | 1.7 | 20 | 18 |
| SiC SBD CSDW30H65 | 197 | 30 | 650 | 1.8 | 20 | 85 |
| SiC SBD CSD10H65 | 66 | 10 | 650 | 1.8 | 20 | 21 |
| SiC SBD CSD20H120 | 118 | 20 | 1200 | 1.8 | 50 | 64 |
| SiC SBD CSDW20H65 | 153 | 20 | 650 | 1.7 | 20 | 63 |
| SiC SBD CSD20H65 | 150 | 20 | 650 | 1.7 | 20 | 64 |
| SiC SBD CSD10H120 | 86 | 10 | 1200 | 1.8 | 50 | 50 |
| SiC SBD CSDW20H120 | 136 | 20 | 1200 | 1.8 | 50 | 92 |
| SiC SBD CSDW40H120 | 312 | 40 | 1200 | 1.8 | 100 | 190 |
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