达林顿晶体管阵列是一种集成了多个达林顿晶体管的电子元件，用于大电放逐大的电路，比如可以机电驱动、电源管理、音频放大等领域。
达林顿晶体管是由两个或多个晶体管（是双极性晶体管）级联而成的一种复合结构。是由贝尔实验室的西德尼·达林顿于 1953 年发明的 。达林顿晶体管的主要特点是能够非常高的电流增益。简单来讲，就像一个「超级晶体管」，将微弱的电流信号放大很多倍。
达林顿晶体管阵列将多个达林顿晶体管集成在一个封装内，这些晶体管可以是独立的，也能够是相互连接的。常见的封装情势包含了ＤＩＰ、ＳＯＰ、ＳＯＩＣ等。
高电流增益: 达林顿结构使得电流增益成倍增加，驱动大电流负载。
高输入阻抗: 达林顿晶体管的输入阻抗很高，可以减小对前级电路的负载效应。
低饱和电压: 相比于单个晶体管，达林顿晶体管的饱和压下降，可以下降功耗。
集成度高: 将多个达林顿晶体管集成在一个封装内，可以节省电路板空间，提高可靠性。
达林顿晶体管阵列用于各种大电放逐大的场合，比如可以：
机电驱动: 控制机电的启动、停止和转速。
电源管理: 用于开关电源、线性电源等电路，实现电压转换和电流调理。
音频放大: 放大音频信号，驱动扬声器。
继电器驱动: 驱动继电器线圈，实现电路的通断控制。
ＬＥＤ驱动: 驱动大功率ＬＥＤ灯，实现高亮度照明。
比如可以，型号为 ＣＢＭ2004ＡＤＰ16 的达林顿晶体管阵列 ，采取 ＤＩＰ⑴6 封装，适用于大电流驱动的运用处景。
散热: 达林顿晶体管工作时会产生一定的功耗，这样看来做好散热措施，避免过热破坏器件。
驱动电流: 选择适合的驱动电流，避免电流过大烧毁晶体管。
保护电路: 在一些运用处景，添加保护电路，比如可以过流保护、过压保护等，以提高电路的可靠性。
总而言之，达林顿晶体管阵列是一种非常实用的电子元件，能够高电流增益、高输入阻抗、低饱和电压等优点，用于各种大电放逐大的电路中。
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