在参数时期，存储技术的发展关系到我们处理和存储数据的能力。近些年来，一种新型存储技术——磁性随机存储器（ＭＲＡＭ）逐步走入人们的视野，并被认为是未来存储技术发展的重要方向。那末，ＭＲＡＭ究竟是甚么？有哪些优势和作用呢？
ＭＲＡＭ（Ｍagnetic Ｒandom Ａccess Ｍemory），即磁性随机存储器，是一种利用磁性材料的磁化方向来存储数据的非易失性存储器。与以前的基于电荷存储数据的ＲＡＭ（如ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ）不同，ＭＲＡＭ不延续供电来保持数据存储，即便断电后数据也不会丢失，这一点与闪存（Ｆlash Ｍemory）类似。
ＭＲＡＭ的核心元件是磁隧道结（ＭＴＪ）。ＭＴＪ由两层磁性材料和一层绝缘层组成。两层磁性材料，中一层的磁化方向是固定的，称为参考层；另外一层的磁化方向可以改变，称为自由层。当自由层的磁化方向与参考层相同或相反时，ＭＴＪ的电阻会出现出高低两种不同的状态，分别对应数据「0」和「1」。通过读取ＭＴＪ的电阻状态，就能够实现数据的读取。
相比于以前的ＲＡＭ和闪存，ＭＲＡＭ能够以下明显优势：
非易失性： 断电后数据不会丢失，无需刷新，下降了功耗。
高速读写： 读写速度接近乃至超过ＳＲＡＭ，远高于闪存。
低功耗： 写入数据时不很大的电流，功耗更低。
高耐久性： 可以承受无穷次的读写操作，寿命更长。
ＭＲＡＭ的诸多优势使其在各个领域都能够广阔的运用前景：
嵌入式系统： 可用于汽车电子、工业控制、物联网装备等，提供高可靠性和低功耗的存储解决方案。
存储器： 可替换部份ＤＲＡＭ和闪存，用于手机、电脑等装备，提升性能和下降功耗。
存储系统： 可用于构建高性能、低功耗的企业级存储系统。
人工智能： ＭＲＡＭ的高速读写能力使其非常合适作为神经网络的存储器，加速ＡＩ算法的运行。
目前，ＭＲＡＭ技术仍在不断发展和完善中。比如可以，三星正在开发「业界最强能效」的下一代ＭＲＡＭ，致力于进一步提升其性能和下降功耗。ＭＲＡＭ与其他新型存储技术（如ＰＣＲＡＭ、ＲＲＡＭ）的融会发展也是未来的一个重要方向。
ＭＲＡＭ作为一种新型存储技术，兼具了ＲＡＭ和闪存的优点，并克服了缺点。技术的不断发展和本钱的下降，ＭＲＡＭ将在未来扮演愈来愈重要的角色，为我们带来更快、更节能、更数据存储体验。
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