长电(长晶CJ) Super Junction MOSFET（以下简称CJ Super Junction MOSFET）是一种高性能的功率半导体器件，其结构设计旨在实现更高的功率转换效率和更低的导通电阻。Super Junction MOSFET（简称SJ MOSFET）采用了一种创新的电荷平衡技术，通过在垂直沟槽结构中交替排列P型和N型半导体层，形成了所谓的“超结”(Super Junction)结构。这种结构设计允许在器件关断时，低掺杂的外延层保证所需的耐压等级，而在器件导通时，高掺杂的N+区作为功率MOSFET导通时的电流通路。
CJ Super Junction MOSFET的电气特性包括但不限于其导通电阻(RDS(ON))、耐压(BV)、输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)、栅极电荷量(Qg)、栅极-源极电荷量(Qgs)和栅极-漏极电荷量(Qgd)。这些参数决定了器件在不同工作状态下的性能表现，如开关速度、温度系数、动态响应等。
CJ Super Junction MOSFET在功率电子中的应用极为广泛，包括但不限于开关电源、电动汽车(EV)、光伏逆变器、服务器电源、笔记本电脑和液晶电视等。其低导通电阻和高耐压特性使其在这些应用中展现出优越的性能，特别是在需要高效率和快速开关的场景中。
CJ Super Junction MOSFET的制造工艺涉及多个步骤，包括外延生长、光刻、离子注入、深沟槽刻蚀和化学气相沉积(CVD)等。这些工艺步骤共同作用，确保了器件结构的精确度和性能的一致性。
CJ Super Junction MOSFET的市场正在不断扩大，随着技术的进步和成本的降低，其在工业、汽车和消费电子等领域的应用越来越广泛。同时，多家公司都在积极布局这一技术领域，以期在未来市场中占据有利位置。
CJ Super Junction MOSFET以其独特的设计和优异的电气特性，在功率电子领域中扮演着至关重要的角色。随着技术的不断发展和完善，预计将在更多的应用场景中展现其潜力。
| 产品型号 | 参数描述 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Super Junction MOS CJPF360JN65A | Single-N | Super Junction | No | 650 | ±30 | 11.5 |
| Super Junction MOS CJP360JN65 | Single-N | Super Junction | No | 650 | ±30 | 11.5 |
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