绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）是一种功率半导体器件，用了双极晶体管（ＢＪＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）的优点，能够高速开关能力和低导通电阻。ＩＧＢＴ用于电力电子领域，如变频器、电动车辆驱动、可再生能源发电逆变器等。
ＩＧＢＴ的工作原理基于其特殊的ＰＮＰ-ＮＰＮ四层结构，通过控制栅极电压来控制集电极和发射极之间的电流。当栅极施加正向电压时，构成导电沟道，ＰＮＰ晶体管导通，ＩＧＢＴ开通；反之，当栅极电压为零或负向时，沟道消失，ＰＮＰ晶体管截止，ＩＧＢＴ关闭。
ＩＧＢＴ的结构特点包含了其ＰＮＰ-ＮＰＮ四层结构中ＰＮＰ晶体管充当发射极，ＮＰＮ晶体管被为不参与导电以免锁定现象。ＩＧＢＴ的导通电阻较低，适用于大功率和高
